近日，旷通半导体联合鲸充新能源亮相第四届上海国际充换电与光储充展览会（CPSE上海充换电展）。在H115号展台，旷通展出了高压SJ MOS、IGBT等应用于30/40kW充电模块的核心产品，凭借突破性的技术性能与卓越表现，吸引了众多行业客户与专业观众驻足交流。

随着新能源充电桩向高功率、高效率、高可靠性方向加速演进，功率半导体器件的性能已成为决定30/40kW充电模块能效、功率密度及长期稳定性的核心要素。旷通半导体本次展出的核心产品线，精准聚焦行业痛点，为下一代充电模块提供强劲“芯”动力。

应用于30KW/40KW充电模块，三相维也纳整流器使用旷通高频IGBT器件，凭借优异的抗冲击能力和成本优势，在AC-DC功率因数校正应用中表现卓越，有效应对电网侧浪涌冲击和启动瞬态大电流，确保系统在恶劣工况下的可靠运行，助力快充桩实现"充电5分钟，续航200公里"的极致体验，优化的开关特性显著降低系统发热量，简化热设计需求，提升整体系统寿命和可靠性。

LLC谐振变换器使用旷通超结MOS器件，采用先进的扩铂（Pt扩散）工艺技术，在高频、高压场景下仍能保持98%以上的转换效率。独有的扩铂工艺优化了体二极管的反向恢复特性，反向恢复时间（Trr）缩短40%，反向恢复电荷（Qrr）大幅减少，有效抑制了LLC谐振过程中的电压尖峰和高频振荡，为输出整流电路提供高效、安静的解决方案，显著降低相关损耗和噪声，助力充电桩运营商降低能耗成本，同时满足严苛的电磁兼容标准。

旷通半导体深谙系统级性能提升之道，通过器件级特性优化与模块级应用设计的深度协同创新，为充电模块效率与性能树立新标杆。本次展出的典型高效充电模块方案充分体现了这一理念：

三相PFC电路：采用12颗VGW075T065AH和6颗VFW120R60AG。

VGW075T065AH作为一款高频IGBT，其设计重点在于降低动态开关损耗；针对高频应用，该IGBT具备较短的开通时间和关断时间；具有良好的热阻特性和封装设计。

VFW120R60AG是快恢复二极管，其核心优势在于极短的反向恢复时间（Trr）和极低的反向恢复电荷（Qrr）；有效抑制二极管在反向恢复期间引起的电压尖峰和高频振荡。

DC/DC三电平谐振全桥电路：采用12颗VMW65R028AH；输出整流电路：采用12颗VFW60R80AY。

VMW65R028AH超结MOS在初级实现高效软开关，降低了开关损耗和EMI。VFW60R80AY 快恢复二极管在次级实现快速低损耗整流，减小了反向恢复引起的损耗和噪声。