01

米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。对于MOSFET，其电容模型如下:

 MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。

由于米勒电容的存在，MOSFET驱动波形在开通和关断过程中，会有一个“平台”，在一定时间内，驱动电压是不变的。这就是“米勒平台”。

02

米勒效应是指MOS管G、D的极间电容Crss在开关动作期间引起的瞬态效应。Crss上是高电压，当驱动波形上升到阈值电压时，MOS管导通，D极电压急剧下降，通过Crss拉低G脚驱动电压，如果驱动功率不足，将在驱动波形的上升沿阈值电压附近留下一个阶梯，如下图：

这个过程中，驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升，Vds和Id保持不变。一直到t1时刻，Vgs上升到阈值开启电压Vg(th)。在t1时刻以前，MOS处于截止区。

t1时刻，MOS管就开始导通了，也就标志着Id要开始上升了。这个时间段内驱动电流仍然是为Cgs充电，Id逐渐上升，在上升的过程中Vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降。从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于饱和区，所以Vgs就会维持不变。

从t2时刻开始，进入米勒平台时期，米勒平台就是Vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。此时漏电流Id最大。且Vgs的驱动电流转移给Cgd充电，Vgs出现了米勒平台，Vgs电压维持不变，然后Vds就开始下降了。

当米勒电容Cgd充满电时，Vgs电压继续上升，直至MOS管完全导通。

所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。

03

1) 米勒效应会产生米勒平台，也就是开通阶段阻碍驱动电压的上升，关断阶段阻碍驱动电压的下降，延长了开关的时间，导致损耗严重，降低了电路的效率。再者，MOSFET不能快速地开关，易造成稳定性降低。

2) 对于有上下管驱动的电路，有上下管同时导通的危险。

04

在高速、高效率电源系统设计中，MOSFET的米勒效应是长期存在的性能瓶颈，直接影响开关速度与能效表现。为应对这一挑战，我司研发团队深入器件物理层面，创新性地整合并应用了两大核心优化技术，实现了对米勒效应的精准调控。

通过优化栅极氧化层厚度，不仅有效降低了栅极与沟道、漏极漂移区之间的单位面积电容，更在保证器件可靠性与合理阈值电压的前提下，初步削弱了米勒电容(Cgd)的基础值。

该技术通过高精度光刻与刻蚀，选择性去除传统平面栅极中覆盖在漏极漂移区（JFET区）上方的冗余多晶硅部分，从物理结构上极大减少了栅极与漏极的关键重叠面积。

这两项技术的协同应用产生了1+1>2的效果：厚栅氧降低基础电容，Poly Cut则大幅削减由重叠面积贡献的核心米勒电容。最终结果是Cgd和关键的米勒电荷(Qgd)被降至极低水平，如VMA65R180AFHT Deep Trench SJ MOSFET Cgd仅有0.8pF。

这直接转化为卓越的应用性能：极快的开关瞬态响应（ton/toff显著缩短），极低的开关损耗（Esw大幅下降），支持系统在更高工作频率下运行，同时改善散热表现，全面提升电源系统的功率密度与整体效率。选择我们的MOSFET，为电源管理、电机驱动等高性能应用注入可靠、高效的核心动力！

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